簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "Chao-Chang Chen".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="單晶碳化矽晶圓"


  • 在搜尋的結果範圍內查詢: 搜尋 展開檢索結果的年代分布圖

  • 個人化服務

    我的檢索策略

  • 排序:

      
  • 已勾選0筆資料


      本頁全選

    1

    過錳酸鉀溶液輔助複線式鑽石線鋸於單晶碳化矽晶圓加工影響之研究
    • 機械工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 蕭祈暐 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料,具有更明顯的優勢,如具有高崩潰電壓及低的阻抗,在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目,但也…
    • 點閱:341下載:18

    2

    選擇性電泳沉積輔助複線式鑽石線鋸加工於單晶碳化矽晶圓製程分析研究
    • 機械工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 黃鼎軒 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一,其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性,廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件,然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
    • 點閱:266下載:0
    • 全文公開日期 2024/09/27 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/09/27 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/09/27 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

    3

    氧化石墨烯複合式拋光液於單晶碳化矽晶圓之化學機械拋光製程分析研究
    • 機械工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 林妤靜 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
    • 點閱:376下載:1
    1